校正程序 

表1总结了所有被研究和实现的方法，并将其分为前8个类（A、B、C、D、E、F、G或H）之 一。对于每种方法，还包括了所需的内在系数的列表。为了澄清这些系数的含义，表2包含了每 个所需的内在系数的一行，并提供了一种如果制造商没有提供的方法来估计其值的参考。在本 节的其余部分，将简要解释每一种研究的方法，提供要应用的方程。

B01：喷嘴的方法 

根据布莱瑟和Rossi [42]，为了修正在初始条件下测量的I-V曲线(G1，T1）到新的条件 (G2，T2)，可以执行以下步骤：

(a)应计算辅助曲线U（未校正），保持电压 每个点j的分量不变（公式（41）)，但根据（公式（42）)对电流分量进行移动： 

其中= (G2/GSTC) · aSTC是指G2（缩放由制造商提供的值）[83]。

(b)短路电流ISC,U未校正的曲线必须用各种方法来确定 在V = 0附近的点的插值[76]。这个ISC,U也已经短路电流ISC,2 Z终修正后的曲线。

(c)以类似的方式，开路电压voc，u同样通过对I = 0附近的点的插值[76]来确定未校正的曲线 。 

(d)校正曲线的开路电压的Z终值应使用（公式（43）)进行估算，其中第1版是原始曲线的开 路电压，Vth1是电池温度下的热电压吗T1,ns为串联的细胞数，m为二极管理想因子。

(e)对于未校正曲线U中的每一个点j，对电压比较进行缩放 根据式（式（45）)，保持电流分量不变，得到Z终修正的曲线：

B02：阿隆索-阿贝拉法 

在这个方法中，[43]，ISC2和第2版首先计算与修正后曲线对应的曲线，然后应用一系列 的位移来拟合单个点，使新的修正曲线在这些点精确地与轴相交。为了纠正从(G1，T1）至(G2 ，T2)，我们继续进行如下所述：

(a)的值ISC2和第2版修正后的曲线是通过 （式（46）和（47）)，假设a指G2:

(b)对于原始曲线的每个点j，当前分量应移动到 DIk=1 =ISC2—ISC1（其中k = 1表示我们在D一次迭代中），而不改变电压分量（式（48 ））。此新的辅助曲线将通过该点（0，ISC2)：

(c)基于本次迭代曲线的点集，其开路电压VOC，k=1通过I = 0附近点的插值[76]来确定。 (d)下一步（迭代k = 2）包括应用另一个移位DVk=2=VOC，2—VOC，k= 1 仅针对每个点j的电压 分量，不改变电流分量（式（49）)。所得到的曲线必须通过点（VOC、2、0）：

(e)再次，使用I = 0附近的点，即短路电流ISC,k=2是估计 通过插值[76]。 (f)如果差值为DIk=3 =ISC2—ISC,k=2低于预设阈值q，算法 已完成。否则，我们必须继续将下一个迭代k + 1返回到步骤(b)，直到该差异满足阈值。 

B03：JRC方法

在Ispra的联合研究中心，开发了一种替代矫正程序。而每个离散点j的电流分量是通过缩 放获得的（如A型的方法），每个电压分量是通过一个附加的位移来修正的（这对于每个点j可 能是不同的）。首先，修正值ISC2和第2版使用（公式（50）和（51）)进行计算：

接下来，使用（公式（52）和（53）)对每个离散点j的两个分量进行修正：

B04： IEC 60891：2021程序1 

IEC 60891：2021 [3]的“程序1”描述了如何使用串联电阻修正测量的I-V曲线到其他辐 照度和电池温度的条件接收站以及温度系数a、β和k（J对值）。该程序是应用Z广泛的代数 校正方法，它应用的方程与桑德斯特罗姆[2]在1967年提出的方法几乎相同。许多年后，在 1987年，国际电工委员会（IEC）首次采用这些方程作为标准程序[84]，对测量的I-V曲线进行 辐照度和温度的修正。事实上，IEC 60891：2021 [3]提供了额外的程序，但前者仍然是Z广泛使用的程序。建议应用它，只要初始辐照度 G1是否在目标辐照度的30%以内G2. 每个点（V j)将原始曲线转换为点(V2 (j ) , Ij))以下第二条曲线（公式（54）和（55）)

β和k的J对值，通常在STC中报告，可以直接使用。然而，金等人。[32]强调了公式中使 用的a的值应该从aSTC到目标辐照度G2使用（方程（56）)：

Z初，这个程序认为串联电阻Rs是一个常数，但实际上它依赖于电池温度T，可以认为对 于PV模块[77]的实际工作范围是线性的。因此，该方法的一个直接和简单的改进[85]包括利用 [85]的可用性(J对变化接收站关于T)，在应用程序之前，纠正给定的值Rs, STC（指TSTC = 25 C)到初始温度T1使用（方程（57）)：

接收站=接收站,STC+ k · (T1 — TSTC)

B05：简化的IEC 60891程序1 

以前的方法很难精确地应用于[45]，因为的值接收站和k通常是不可用的，因为制造商只 在规格说明书中包含了所需的参数a和β（或它们各自的相对对应参数）。因此，假设一个串联 电阻的值并不罕见接收站= 0 W和k = 0 W/K。因此，要应用的表达式可以简化为（式（58）和 （59）)：

B06： IEC 60891：2009程序2

该程序只包含在IEC 60891的第二版中 （IEC 60891：2009 [46]），并在新的第三 版（IEC 60891：2021 [3]）中被替换。即便如此，之前版本的“程序2”已经包含在这项工 作中，以便便于比较。在这种方法中，在“程序1”中引入了一个额外的校正参数，以考虑辐照 度变化对PV器件电压输出的影响（在这里命名为6，但在标准中注明为a）。 该方法使用替代方程（方程（60）和（61）），理论上，当初始辐照度和目标辐照度之间 的差超过30%时，会比程序1得到更好的结果。在这些公式中，而不是使用温度系数a和β的绝 对值，这些参数需要在它们的相对对应物中使用ar和βr，以1/K表达。作为ar用相对术语表示 ，不必要将其值扩展到目标条件。然而，Rs可以翻译为TSTC向T1使用（方程（57）)。

B07：修改后的IEC 60891：2009程序2 

根据实验结果，李等人。[47]在使用上述方法B06时，观察到预测数据和测量数据之间存 在显著偏差。因此，他们提出了对表达式的修改，用于修改I-V曲线中每个点j的电压分量（式 （62）)：

B08： IEC 60891：2021程序2 

在前一版（IEC 60891：2009 [46]）和新的第三版（IEC 60891：2021 [3]）之间Z重要的变化之一是“程序2”的改进，以考虑到辐照度校正因子的非线性。而不是有一个W一的6， 两个辐照度校正因子61和62被使用(注意到B1和B2在标准)。D一步包括计算f（G1）和f（G2） ，使用f（·）（式（63）)的定义：

在第二步中，必须应用（等式（64）)： h(G1, T1, G2, T2)=f (G2) · (T2 — TSTC) —f (G1) · (T1 — TSTC) 使用电流和电压温度系数的相对版本（见公式（（65）和（66））。此外，卢比,STC也可 以用（式（57）)转换为Rs。

在（式（66）)中的值VOC、STC是必需的。如果不可用，则可以使用（式（67）)进行计算 ：

B09： IEC 60891：2021程序4 

该程序4在IEC 60891：2021 [3]中是一个新颖的程序，它可以用于校正大范围的辐照度和 温度水平。该方法是基于久川等人之前的一篇文章。[86]和它与单二极管模型密切相关，所以 如果设备不能很好地调整到该模型，它可能是不准确的。除了当前的温度系数ar和串联电阻Rs 外，还需要了解一个名为#的技术相关参数。该方法假设这是一个不依赖于条件的常数，建议所 有晶体硅光伏组件的值为# =1.232 V。对于使用其他技术的模块，应根据实验数据调整参数。 翻译过程分两步进行。首先，每个I-V对(V j) , I j) )被移到一个辅助点（Vj），I j) )， 以纠正两者之间的辐照度差距G1和G2使用（公式（68）和（69）)：

第二步是校正这些点，以考虑到两者之间的温差T1和T2通过（公式（70）和（71）)： (70) (71) 其中Ns是串联和中的细胞数ISC, STC是STC的短路电流也应该知道。如果情况并非如此，则可 以使用（式（72）)进行估计：ISC, STC= 

B10：修改后的IEC 60891：2021程序4 (b) 

这是前一种方法B09的一个轻微变体。实际上，与技术相关的参数#具有物理意义[86]：它 是二极管理想性因子m和材料带隙能量E的乘积g关于T1（公式（73）)： # = m·例如（T1）（73） 来估计带隙能量Eg（以eV表示）的特定半导体材料作为器件温度T的函数，可以使用（式 （74）) [79]：

在哪里埃及0K（在0开尔文处的带隙能量），ρA和ρB应该从文献中提取每个特定的技术。

链接：IEC60891和其他温度和辐照度校正程序与光伏器件I-V特性的比较