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G01:维拉尔瓦方法
与显式方法相反,这种过程需要对方程组进行多次迭代,直到满足终止条件。对于维拉尔 瓦等人提出的方法。[16],执行几个简单的方程,在每次迭代中增加串联电阻的值接收站直到 实际的参数集可以模拟一个I-V曲线PM值非常接近于PM测量曲线的值。在实践中,这个过程是 非常幼稚的,因为它不能提供一个二极管理想性因子m的估计。实际上,它需要一个值m作为输 入参数。必须执行以下步骤: (a)照片生成电流的值设置为:
Iph1=ISC1
(b)饱和电流采用(式(240))确定:
(c)Rs的初始值1已设置= 0 W。
(d)平行电阻通过(式(241)):
和Iph1,是1, m,接收站1和Rsh1.然后,Z大功率值P * M 1是估计。如果|P * M 1— P * M 1 |小于 一个阈值,我们已经完成了。否则,我们继续。 (f)串联电阻的值以DR增加(该值可以调整, e.g., =博士0.001 W)。
(g)使用(式(242)和(243))更新平行电阻:
(h)使用(式(244))更新照片产生的电流:
(i)跳转到步骤(e) (242) (243) (244) 此方法Z后使用(式(76))进行纠正Iph并假设是常数值Rsh和接收站.Z终是在目标条件下,可以被翻译为 (方程(245)):
G02:Boutana方法
与之前的方法G01一样,Boutana等人提出的方法。[73]还要求二极管理想性因子m作为输 入。用来模拟I-V曲线的步骤是指(G2,T2)如下:
(a)首先,开路电压的值由热电压归一化,使用 (公式(246)):
(b)然后,在初始条件下的填充因子(G1,T1)是通过 (方程(247)):
(c)可以在不受寄生电阻影响的情况下估计一种填充因子(式(248)):
(d)然后,假设串联电阻rs是常数,可以用以下表达式(公式(249))来估计:
(e)短路电流ISC2以及开路电压第2版目标下 条件(G2,T2)可以分别使用(式(15)和(43))来实现。 (f)再次,在(G2,T2)使用(式(250))进行归一化。然后,FF * 2 也可以使用(式(251))进行计算:
(g)一种标准化的串联电阻rs2 指(G2,T2)可以计算 (方程(252)):
(h)目标条件下的填充因子(G2,T2)可以近似地使用 以下表达式(等式(253)):
(i)初始化了一个辅助变量S = 1。 (j)对于一个包含电压点Vj的网格中的每个点j,都可以产生一个电流值 Ij(如式(254))所示:
(k)计算了该新曲线的主要电参数(包括FFr)。(l)如果|FFr-FF2|小于阈值,则完成。否 则,继续。 (m)S的值增加了DS(这个值可以调整,e。g., DS = 0.01).(n)跳转到步骤(j) 一旦我们完成了,在步骤j)中生成的I-V曲线是修正后的I-V曲线,指的是(G2,T2).
G03:卡雷罗法
这个程序允许估计SDM [74]的五个参数。下面要的步骤列表是 (a)首先,二极管理想性因子m的初始值0是计算使用 (方程式(255)-(258)):
(b)串联电阻和平行电阻的初始值均由 (式(259)至(261))的平均值:
(c)更新二极管理想性因子m(方程(262)-(268)):
(d)两种寄生电阻均根据(式(269)-(271))进行更新:
(e)如果Rs的变化1小于阈值,循环应该停止,我们继续 步骤(f)。否则,我们将跳转到步骤(c). (f)照片生成的电流Iph1通过(式(272))和 饱和电流是1使用(方程(273)):
G04:斯托内利的方法
在这种方法[75]中,必须执行以下步骤:
(a)该方法的D一步是假设二极管理想性因子的初始值m=1
(b)第二步包括估计串联电阻Rs的值1,饱和度动量电流是1,以及照片生成的电流Iph1通过(公式(275)-(277)):
(c)我们需要获得MPP处电压的计算值:
(d)如果实际的VOC1与计算出的V之间存在差异* O C1如果小于一个阈值,我们必须跳转到步骤(f) 。在其他情况下,我们会继续说下去。 (e)如果VOC1> V * O C1,二极管理想性因子m的值增加了Dm。否则, (第1版< V * O C1 )m减少了Dm(例如,Dm的值可以为0.01)。现在,我们跳转到步骤(b). (f)一旦确定了m的值,在程序的第二部分中,该值的Rsh1是调整。Rsh的初始值1由(式(279)和(280))表示:
(g)饱和电流为1使用(公式(281))进行更新:
(h)光电电流Iph1使用(式(282))确定:
(i)一旦我们有了Iph的值1,是1, m,接收站1和Rsh1,则可以解析SDM模型,从而得到I * M 1 ,与 测量值对应的电流的计算值VM1根据这一组参数。 (j)如果实际情况之间的差异IM1和计算出来的我* M 1小于 阈值,我们就可以完成这个循环了。否则,我们继续。 (k)如果IM1< I * M 1,平行电阻的值Rsh1增加了德尔什1 .如果不是, (IM1> I * M 1 ), Rsh1减少了德尔什1(的价值德尔什1例如,可以是0 W)。.1然后,我们跳 转到第g步)
(l)Z后,我们可以执行从(G1,T1)至(G2,T2)使用(方程(76), (77)、(79)和(80))。 其余的方法(从G05到G08)分别与G01到G04相同,仅改变(式(76))为(式(88))。